Le silicium de type Czochralski (Cz-Si) dopé au bore est caractérisé par une forte contamination en oxygène. Il se forme, ainsi, au cours du refroidissement du lingot de silicium, une variété de défauts et des complexes doxygène actifs. Dans ce livre, nous identifiant par spectroscopie infrarouge les différents complexes liées à loxygène interstitiel ainsi que leurs effets sur les propriétés électriques avant traitement thermique et après recuit sous atmosphère contrôlée dazote, pour une gamme de température comprise entre 450 °C et 800 °C. Nous testons, aussi, leffet de lhistoire thermique sur la formation des complexes doxygène en adoptant le processus du recuit cumulatif multi-étapes.

Besma Moumni est Docteur en Physique au CRTEn, TECHNOPÔLE DE BORJ CEDRIA. Faculte Des Sciences de Tunis, UNIVERSITÉ DE TUNIS EL MANAR. Abdelkader Ben Jaballah est Maitre-Assistant au CRTEn, TECHNOPÔLE DE BORJ CEDRIA. Maitre-Assistant en Physique Faculté de Science et des Arts de Samtha, UNIVERSITÉ DE JAZAN, ARABIE SAOUDITE.